Abstract FR:

Le memoire rappelle ce qu'il faut savoir sur les materiaux moleculaires et leurs proprietes de transport de charge electronique. Les techniques experimentales utilisees pour realiser les diodes et les transistors a base de materiaux organiques sont egalement exposees. Ensuite, les caracteristiques courant-tension de structures or/sexithienyle/or ont ete mesurees et sont en bon accord avec les predictions du modele prealablement etabli. La mobilite des porteurs de charge a ete deduite et se revele thermiquement activee: ce fait est attribue a la presence d'un piege peu profond (0,2 ev au-dessus du bord de bande de valence). Le role de l'oxygene comme centre compensateur de pieges permet d'expliquer les caracteristiques courant-tension sous atmosphere reduite. Les transistors a effet de champ en couche mince utilisant des isolants inorganiques et organiques (misfet-tfts) a base d'oligomeres semi-conducteurs ont ete realises et etudies. Les resultats montrent qu'il est possible d'ameliorer les performances des fets par le changement du semi-conducteur et de l'isolant de grille utilises. Enfin, le probleme de l'optimisation des tfts est aborde par une analyse critique des proprietes des semi-conducteurs moleculaires et celles des isolants