Abstract FR:

L'utilisation des transistors bipolaires de puissance commutant des puissances tres fortes suscite un interet grandissant en raison de leur totale commandabilite, a l'ouverture comme a la fermeture et de leur relative rapidite de commutation compare aux thyristors. Une des caracteristiques de ces dispositifs est le compromis courant/tension bloquee. Pour un gain force et une tension de blocage imposee, un fort courant passant ne peut etre obtenu qu'au prix d'une augmentation de surface qui peut devenir critique dans le cas de transistors conventionnels. Dans la premiere partie du memoire, nous comparons les differents modeles qui decrivent le fonctionnement des transistors a emetteur polysilicium. Le role de l'interface separant la couche de polysilicium et le monocristal est ainsi mis en evidence. La realisation technologique de transistor de puissance a emetteur polysilicium constitue la part la plus importante de notre travail. Pour obtenir une tenue en tension satisfaisante, nous avons du adopter le principe d'une terminaison pp#. L'analyse des caracteristiques des premiers composants obtenus a montre que certaines etapes du processus etaient particulierement critiques dans la mesure ou elles modifient les proprietes de l'interface monocristal/polysilicium. Ces resultats nous ont amenes a proposer un processus complet adapte a la fabrication de transistors bipolaires de puissance a emetteur polysilicium. Les resultats de la caracterisation electrique des composants que nous avons realises ont confirme le bien fonde des etudes theoriques