Abstract FR:

On etudie les proprietes d'heterostructures a base de inp et de gainas fabriquees par epitaxie en phase vapeur aux organometalliques. Les proprietes des couches sont analysees par des mesures d'effet hall, de photoluminescence a 4 k et de double diffraction des rayons x. On etudie le spectre de photoluminescence plus particulierement. Avec ces heterostructures on fabrique des photodiodes pin a structure mesa et semiplanar dont on evalue les performances