Abstract FR:

Le premier chapitre est consacre a l'etude en frequence des differentes sources de bruit des transistors a effet de champ en technologie complementaire mos, son mecanisme et ses origines afin de pouvoir definir des regles permettant de minimiser ses effets dans les systemes amplificateurs. La deuxieme partie est la mise en application de l'etude du bruit pour la realisation d'un amplificateur de courant, monolithique, bas bruit, avec une mise en forme rapide pour des capacites de detecteurs de quelques picofarads a quelques 100 pf