Abstract FR:

Le concept de conversion photovoltaique multispectrale de l'energie solaire est concretise par la realisation d'un tandem (al,ga)as/si par empilement mecanique. Les structures des photopiles (al,ga)as sont elaborees par la technique d'epitaxie en phase vapeur par pyrolyse d'organometalliques (epvom). L'obtention de materiau (al,ga)as en epvom de qualite electronique necessite des conditions experimentales particulieres (absence de traces d'oxygene dans la phase vapeur). De plus une temperature de croissance elevee (780c) s'est averee indispensable pour obtenir une bonne duree de vie des porteurs minoritaires. Les operations technologiques et les techniques utilisees pour le couplage des deux cellules du tandem sont detaillees. Les caracteristiques electriques des cellules (al,ga)as et du tandem ont ete par la suite analysees ainsi que les performances atteintes: un rendement am1. 5 de 19,1% pour les photopiles (al,ga)as et 21% pour le tandem. Par ailleurs, des diodes tunnels gaas thermiquement stables ont ete elaborees en vue de la realisation d'un tandem monolithique. De plus, la technique de separation de la structure de son substrat (dite elo: epitaxial lift-off) a ete mise en uvre pour enlever le substrat de la cellule (al,ga)as. Cette technique a permis aussi d'effectuer des mesures de la duree de vie des porteurs minoritaires et du coefficient d'absorption sur des couches minces de (al,ga)as