Abstract FR:

Les systemes de communication par fibres optiques a haut debit et grande distance requierent des diodes laser possedant intrinsequement une tres grande bande passante et une forte puissance. Le laser a ruban enterre en gainasp/inp offre de bonnes performances, qui sont toutefois limitees par des elements parasites rc propres a la structure. Le travail presente consiste en l'etude, tant du point de vue materiau que du point de vue electrique, de couches semi-isolantes permettant la localisation de l'injection du courant dans la zone active du laser et la reduction du facteur rc. Deux methodes sont envisagees. Ce sont: la desactivation des accepteurs dans l'inp par l'hydrogene et le dopage par un piege profond: le fer. La desactivation des dopants p dans l'inp d'une heterostructure gainas/inp est obtenue pendant la phase de refroidissement de l'epitaxie m. O. C. V. D. L'influence des parametres: temperature, hydrures utilises, nature de la conductivite (n ou p). . . Est montree. L'originalite de l'etude reside dans la mise en evidence de l'influence de la couche de gainas sur la desactivation et la restauration des accepteurs dans l'inp d'une heterostructure gainas/inp. Elle aboutit a la realisation d'un laser avec couches bloquantes en inp:p hydrogene. La croissance par epitaxie m. O. C. V. D. D'inp:fe permet l'obtention d'un materiau de resistivite elevee (10#8 cm) mesuree sur des structures n-si-n, jusqu'a une tension superieure a 10 v. Dans le cas de structures p-si-n, plusieurs problemes sont identifiees: une tension de claquage, mesuree en direct, faible (<1 v), une exodiffusion du fer en presence de zinc. Compte tenu des problemes souleves par la presence d'une couche d'inp:zn adjacente a une couche d'inp:fe, une structure optimisee d'un laser avec couches bloquantes en inp:fe est proposee