Abstract FR:

Une varistance est constituee par un ensemble de grains semiconducteurs de zno separes par une couche intergranulaire. L'etude de la zone de saturation de la caracteristique i(v) de cette varistance est etroitement liee a la resistivite des grains semiconducteurs. Cette these presente l'etude comparative de deux methodes de mesure de la resistivite des grains, puis dans un deuxieme temps permet de determiner celle-ci dans le cas de varistances differemment dopees