Abstract FR:

L'objet de cette thèse est l'étude de la croissance localisée des semi-conducteurs III-V ingaas(p)/inp par la technique d'épitaxie par jets chimiques (chemical beam epitaxy : cbe) et l'application de cette méthode à l'intégration monolithique par couplage bout à bout de composants dédiés aux réseaux de télécommunication par fibre optique. Le principe de la méthode d'intégration utilisée consiste à masquer et graver partiellement une structure épitaxiale d'un composant photonique initial puis à faire croître localement dans les caissons ainsi réalisés une seconde structure de composant. Le module final obtenu par cette technique est plan. Les spécificités de la cbe permettent de réaliser l'épitaxie de couches uniformes en épaisseur et en composition quel que soit le taux de masquage. Cette technique est, de plus, compatible avec de grandes profondeurs de caissons équivalentes à l'épaisseur typique des composants photoniques ( 3 m). D'autre part, la nature organométallique des précurseurs d'éléments III permet d'inhiber le dépôt de matériau sur les masques diélectriques. Enfin, les faibles températures de croissance ( 500c) minimisent les dégradations thermiques de la structure initiale. L'intégration de guides d'onde faibles pertes épitaxies par cbe avec des composants actifs a permis de fabriquer les circuits photoniques suivants : un modulateur électroabsorbant (ea) à grande bande passante de 42 ghz, un tandem de modulateurs ea ayant un taux d'extinction record de 55 db et utilisé pour la génération d'impulsions de type soliton, un interféromètre de mach-zehnder servant à la conversion de longueur d'onde et, pour la première fois, une source à bande latérale unique monolithique utilisée pour la transmission d'un signal radio millimétrique par fibre optique.