Abstract FR:

Les technologies de puissance intelligente combinent sur une meme puce des composants analogiques bipolaires, des composants logiques cmos et de la puissance avec des transistors lateraux ou verticaux dmos. La densite d'integration n'a cesse d'augmenter ces dix dernieres annees permettant ainsi de creer des systemes de plus en plus complexes sur cette puce. Ce memoire traite plus particulierement de modelisation, de conception et de test de transistor ldmos de puissance integre. Le transistor de puissance est concu pour fonctionner en mode interrupteur. Les deux parametres qui le caracterise sont sa resistance specifique r#s#p et sa tenue en tension bv#d#s#s. La technologie developpee permettra de proposer des composants ldmos avec une resistance specifique r#s#p = 200m*mm#2 et une tension de claquage bv#d#s#s = 60v. Ce type de composant est destine aux applications automobiles. La reduction de la taille du composant de puissance resultant d'une diminution de la resistance specifique doit s'accompagner d'une etude sur les limites en energie de ce composant. Lorsque le composant de puissance commute sur une charge inductive, une certaine quantite d'energie est dissipee. Il existe une energie limite au dela de laquelle le composant est detruit. Nous nous sommes attaches a determiner les limites en energie de notre nouveau ldmos de puissance.