Abstract FR:

Afin de qualifier la fiabilite des transistors mos submicroniques, nous avons etudie la tenue au vieillissement de differentes solutions technologiques sensees limiter les phenomenes de porteurs chauds. L'analyse des degradations induites par les porteurs chauds nous a permis de modeliser les degradations des principaux parametres electriques bas-niveau du transistor. Ces degradations sont essentiellement reliees a la generation d'etats d'interface sous la grille du transistor dont la densite peut etre revelee par la technique de pompage de charges. La sensibilite de cette technique associee a la modelisation des degradations permet de determiner la duree de vie des transistors pour des polarisations de stress proches des tensions nominales de fonctionnement. La duree de vie des differentes structures pour les tensions nominales de fonctionnement est alors determinee par interpolation entre les mesures a fortes et faibles tensions. Cette interpolation permet de s'affranchir partiellement des incertitudes inherentes a l'extrapolation qui est utilisee lorsque seuls les points de mesure a tensions elevees sont pris en compte