Etude du depot de couches minces semiconductrices de sulfure de cadmium par voie chimique en solution
Institution:
Paris 6Disciplines:
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Abstract FR:
L'etude du depot de couches minces de cds par voie chimique en solution a ete etudie par des mesures in situ de capacite et de microbalance a quartz. Des informations concernant les proprietes de couverture de la couche, sa structure et son evolution pendant la croissance ont ete obtenues. Un modele de croissance colonnaire est ainsi propose pour expliquer les differences de structure observees, selon les conditions de depot. L'influence de differents parametres (concentrations de reactifs, temperature) a ete etudiee puis expliquee par un mecanisme de croissance de type atome par atome, mettant en jeu des etapes de reaction a la surface du substrat. Des expressions analytiques donnant la vitesse de depot en fonction des concentrations en solution sont obtenues a partir du modele de croissance considere. L'etude des caracteristiques des couches (composition, proprietes optiques et structure interne) montre qu'elles dependent des conditions de depot et donne des elements en appui du mecanisme considere. Des etudes concernant le depot de cds sur du cuinse#2 mettent en evidence des interactions entre ce substrat et la solution de depot. La formation d'une interface graduee cuinse#2/cdse/cds est envisagee, ce qui pourrait expliquer le succes de cette methode pour la fabrication de photopiles performantes. L'ensemble de resultats obtenus permet une meilleure comprehension du processus de depot et ainsi que l'optimisation et le controle du processus