Abstract FR:

Mesure et etude, en fonction de la temperature, des durees de vie radiative et non radiative des porteurs minoritaires dans la zone active des diodes electroluminescentes a simple heterostructure algaas. Apres un rappel des proprietes du materiau al::(x) ga::(1-x) as et le traitement des diodes pour la determination des caracteristiques electriques et optiques, on decrit la technique utilisee (methode de recouvrement en inverse) pour mesurer la duree de vie des porteurs minoritaires