Abstract FR:

Les transistors I. G. B. T. Sont des composants de puissance récemment apparus sur le marche. Ils semblent particulièrement intéressants a utiliser au sein des convertisseurs de moyenne puissance de par leurs performances annoncées (tension, courant, fréquence). La première partie de ce mémoire est consacrée a une description physique du composant et a l'étude de ses propriétés en faisant appel a des schémas équivalents. Des vérifications expérimentales sont menées en comparaison avec des transistors vdmos. Les problèmes de stabilité thermique du composant sont évoques. Un signal de commande optimale est propose. Enfin, une étude est menée en vue d'un calcul simplifie des pertes a l'ouverture. La deuxième partie concerne la mise en ouvre de l'i. G. B. T. En tant que thyristor dual au sein d'un convertisseur a résonance série. L'étude du fonctionnement du convertisseur conduit a l'élaboration d'abaques de dimensionnement. Une comparaison des résultats avec deux d'une simulation numérique est effectuée. Le problème de la nécessite ou non d'un condensateur d'aide a la commutation est étudie en détail. Nous concluons sur l'intérêt de l'utilisation de l'i. G. B. T dans les convertisseurs a résonance