Abstract FR:

Une nouvelle technologie de realisation du transistor bipolaire a heterojonction gaalas/gaas a structure autoalignee a ete etudiee. L'isolation du transistor est realisee par une implantation de bore et de proton dont l'optimisation a ete faite avec l'objectif d'assurer une stabilite thermique a haute temperature. Une diffusion de zinc permet de contacter la couche de base et de realiser l'autoalignement entre les contacts d'emetteur et de base. Ces deux contacts ohmiques sont realises avec le meme metal refractaire en tungstene. La diffusion de zinc forme une couche p#+ dans la zone extrinseque du tbh dont le dopage est eleve (10#2#0 cm##3), la resistance d'acces a la base est ainsi tres reduite. L'optimisation de la realisation du contact ohmique de base en tungstene a ete etudiee sur plusieurs couches de gaas initialement dopees par du zinc (epitaxie mocvd) et du be (epitaxie mbe) avec des concentrations variables de 5 10#1#8 cm##3 a 5 10#1#9 cm##3. La diffusion du zinc dans des couches dopees avec du be est differente, suivant que la concentration initiale du dopant est superieure ou inferieure a 3 10#1#9 cm##3. Dans tous les cas la resistivite de contact est de l'ordre de 10##6 cm#2. La diffusion du zinc a ete egalement etudiee sur le ga#1#-#xal#xas en fonction de la fraction d'aluminium. Des resistivites de contact de 10##6 cm#2 sont egalement obtenues pour des fractions d'aluminium a 0,15. Un transistor auto-aligne, dont la technologie de fabrication avec ces nouvelles etapes elementaires est decrite, a ete realise. Ses caracteristiques electriques, statiques et dynamiques, sont presentees. Une frequence de transition de 41 ghz et une frequence maximale d'oscillation de 37 ghz ont ete obtenues sur un transistor dont les surfaces de jonction e-b est de 220 m#2 et b-c de 820 m#2. Pour ce type de technologie autoalignee, avec des contacts de base et d'emetteur en metal refractaire, malgre l'importance des surfaces de jonction, nos resultats se situent au meilleur niveau et sont comparables a ceux obtenus par ntt (avec une surface de jonction b-c quatre fois plus petite). Des performances encore plus elevees pourront etre atteintes par une reduction des surfaces de jonction du transistor