Abstract FR:

L'amelioration des performances des techniques d'acceleration et du laser a electrons libres necessite de nouvelles sources d'electrons intenses, pulsees et de forte luminosite. C'est dans ce contexte que des photocathodes a reseaux de pointes ont ete preparees par microlithographie a partir de silicium type p et n, puis testees dans l'ultravide en regime d'emission de champ (laser a ions d'argon). Ces photocathodes ont produit un photocourant instantane dans le visible et presente une longue duree de vie. Elles ne souffrent d'aucun probleme de conservation ni de transport. Les resultats les plus satisfaisants ont ete obtenus avec du silicium type p peu dope. Pour effectuer le test en photoemission impulsionnelle de champ, un dispositif de decoupage du faisceau laser en impulsions a ete realise. Les impulsions laser et du photocourant ont la meme forme avec le meme temps de montee. Des experiences faites avec des impulsions laser d'energie de quelques nj pendant une centaine de ns, a une frequence de quelques mhz, pour une surface eclairee d'environ 2 mm#2, ont permis de mesurer une charge de quelques pc. Cela correspond a un rendement quantique de l'ordre de 1%