Abstract FR:

Ce travail de cette these s'inserait dans la mise en place, au laboratoire de bagneux du cnet, d'une technologie permettant de realiser des circuits, a base de transistors hemt sur inp, pour communications optiques a hauts debits. La mise au point de la technologie de fabrication des composants, axee sur la reproductibilite et la faible dispersion des resultats a porte sur plusieurs points: reduction des fuites de grille parasites, controle du recess de grille, utilisation de la gravure par plasma. Nous avons mene une etude de fond sur la mise au point des contacts ohmiques, qui a permis d'en comprendre les mecanismes de formation et de degager une sequence de realisation adequate. Il est cependant rapidement apparu que l'amelioration des performances des transistors ainsi que le controle des caracteristiques obtenues rendaient indispensables un certain nombre d'optimisations. Avec l'aide de simulations numeriques, les differents parametres de la structure de couches semi-conductrices ont ete explores. Cette etude a permis de mieux comprendre le fonctionnement du transistor et d'en ameliorer la conception. Nous avons insere dans la structure une couche d'alinp qui reduit l'exces de courant de grille lie au phenomene d'ionisation par impact dans le canal. Elle permet une gravure selective de la couche de contact lors du recess de grille, ameliorant ainsi l'homogeneite de la tension de pincement des transistors. Nous avons enfin demontre l'interet des structures a dopage planaire pour la realisation de transistors a grilles courtes. L'ensemble des resultats obtenus se situe au meilleur niveau de l'etat de l'art. Cette etude est validee par la realisation d'un preamplificateur de photoreception fonctionnant a 10 gbit/s avec un gain transimpedance important