Abstract FR:

L'objectif de ce travail est de mettre en uvre une technique de modelisation petit signal et en bruit du transistor bipolaire a heterojonction (tbh). Dans une premiere partie, nous abordons les performances dynamiques du tbh par l'etude du transport des porteurs de charges dans les differentes zones du composant. Nous evoquons ensuite l'etat de l'art de la modelisation petit signal des tbhs. Pour completer la modelisation, les differentes representations du bruit dans le tbh intrinseque a partir du modele localise des sources de bruit sont exposees. Le second chapitre de ce memoire est une presentation du banc de mesure de bruit aux frequences micro-ondes. Une etude est realisee afin d'obtenir une configuration optimale du banc. Dans un second temps, nous developpons un procede simple d'extension des possibilites de mesures aux basses frequences micro-ondes (1-4 ghz). La gamme de frequence de caracterisation experimentale en bruit est ainsi portee de 1 a 22 ghz. Enfin, nous terminons ce chapitre par une caracterisation de differentes filieres technologiques de transistors hyperfrequences. Le troisieme volet de notre memoire porte sur la technique d'extraction du schema petit signal que nous avons mis en uvre. D'excellents resultats sont obtenus et valides par une etude de la variation des parametres intrinseques du tbh avec la polarisation. Des sources de bruit sont ensuite associees aux differentes jonctions et resistances parasites. Les resultats obtenus par notre modele coincident parfaitement avec les mesures experimentales. Le quatrieme chapitre est consacre a l'etude de la filiere gainp/gaas. Le modele petit signal est utilise pour mettre en evidence des singularites liees a l'orientation de gravure de l'emetteur. Une etude de la fiabilite est ensuite realisee pour justifier de la maturite technologique des composants, cette phase etant necessaire pour qualifier les tbhs en vue d'applications dans des circuits electroniques hyperfrequences.