Abstract FR:

Cette these traite du probleme de la tenue en tension des composants de puissance, discrets ou integres. Elle concerne l'etude des techniques de garde de jonctions qui permettent d'obtenir une efficacite de protection maximale, c'est-a-dire d'approcher au mieux la tenue en tension de la jonction ideale plane. Nous etudions le fonctionnement et les regles de conception de deux techniques de linearisation de potentiel : les anneaux diffuses polarises et la spirale de sipos. Le travail realise ici comporte les points-cles suivants : ? comprehension et analyse du fonctionnement statique et dynamique, ? determination des regles de conception : evaluation des parametres critiques pour des tenues en tension de 1000v. Les parametres importants de cette etude sont : la surface occupee, la complexite technologique de realisation, la sensibilite a la technologie (les charges dans l'oxyde), ? realisations de structures tests sur silicium. Les principaux resultats obtenus sont les suivants : realisations de diodes de calibre 600 a 1200 v, efficacite de protection de 95% (anneaux polarises et sipos spirale), insensibilite aux charges d'interface, robustesse vis-a-vis des tolerances de la technologie, grande tolerance sur les regles de dessin.