Abstract FR:

Nous presentons l'etude et la conception de circuits integres bicmos, dont la technologie de fabrication allie sur la meme tranche de silicium des transistors bipolaires et des transistors mos. La majeure partie des travaux presentes a ete realisee dans le cadre d'une cooperation industrielle avec sgs-thomson (grenoble), pour lequel nous avons realise une version cmos et bicmos d'une cellule de bibliotheque, le 2901. Dans un premier temps, nous evaluons les gains en rapidite obtenus par l'utilisation du bicmos pour des circuits logiques qui comprennent chacun une partie cmos dont la sortie est reliee a un etage d'amplification bipolaire. Sont compares en version cmos et bicmos des portes logiques de base, des circuits de propagation de retenue precharges et des encodeurs permettant la transmission de signaux 4-values. Nous etudions egalement des circuits bicmos a base de melange intime de transitors bipolaires et de transistors mos, dans le cas de logiques rapides non saturees de type bipolaire cml-ecl. Nous nous interessons principalement aux operateurs arithmetiques a propagation simple de retenue, aux registres multi-ports et aux convertisseurs de niveaux logiques cml/cmos. Enfin nous decrivons en detail la conception des deux versions cmos et bicmos de la cellule 2901, qui s'inscrit en dehors du contexte classique d'utilisation d'amplificateurs bicmos pour l'attaque de fortes charges capacitives. Puis nous comparons les deux circuits au moyen des resultats obtenus en simulation electrique et en test, qui nous permettent de conclure quant a l'interet de la technologie bicmos pour la conception de petits circuits