Abstract FR:

Aujourd'hui, la technologie de fabrication des photomasques necessite un procede de gravure seche afin de realiser les microstructures avec precision et avec un haut degre d'automatisation. La gravure seche du chrome, metal traditionnellement employe dans les masques, pose des problemes a la fois sur le plan du rendement en raison d'une vitesse de gravure peu elevee (environ 20 nm/min) et au niveau du respect des dimensions (environ 0,3 micron d'attaque laterale) de part la nature chimique des melanges gazeux requis. De nouvelles plaques a base de mosi#2 ont ete developpees pour contourner ces problemes; le mosi#2 possede en effet des proprietes optiques pratiquement equivalentes a celles du chrome mais une bien meilleure reactivite a la gravure plasma. L'objet de ce travail est d'une part d'etudier la faisabilite d'un procede de gravure ionique reactive de masques mosi#2 en plasma sf#6, et d'autre part, d'optimiser le depot de film mince de siliciure de molybdene en vue d'une application dans les masques. Dans les conditions plasma optimales, c'est-a-dire a basse pression et faible densite de puissance, le meilleur compromis entre les differentes caracteristiques de la gravure peut etre obtenu. L'erosion laterale en bord de motif peut etre maintenue a des valeurs comprises entre 0,1 et 0,2 micron et la vitesse de gravure du mosi#2 reste egale a 60 nm/min. Le depot par pulverisation cathodique dc magnetron peut fournir des films minces de siliciure de molybdene, d'une epaisseur de 100 nm, satisfaisants pour les masques. Un plus haut degre de purete est cependant necessaire pour ameliorer leur reactivite a la gravure plasma