Abstract FR:

L'objet de cette these consiste a concevoir un reacteur permettant d'apprehender les mecanismes essentiels qui d'une part controlent l'obtention d'une couche mince et d'autre part modifient ses proprietes physicochimiques. Cette etape a ete realisee par la mise au point d'un reacteur tubulaire a couplage inductif permettant l'obtention d'un plasma basse pression hors equilibre alimente par un melange (sn(ch#3)#4+argon+oxygene) dans une plage de pression comprise entre (80-200) pa. Le film mince obtenu est caracterise par l'emploi des methodes chimiques (irft, xps) et des methodes physiques (l'energie de surface, decroissance de potentiel de surface, meb) dans le but de relier les conditions de depot aux proprietes electriques recherchees. Cette etape souligne en particulier le role de la teneur en etain et l'oxydation des liaisons (snc) en (sno) dans l'evolution des proprietes conductrices du depot. Ces resultats ont permis la mise au point d'un reacteur tres instrumente permettant le controle des debits, pression, energie, et temps de passage afin de permettre une parfaite reproductibilite des experiences. Les conditions de depots en terme de distance, energie du plasma, temperature du substrat ont fait l'objet de controle et de mesure pour aboutir a un reacteur adapte au procede choisi. Les couches obtenues ont ete traitees en 3 etapes: depot, oxydation complementaire par plasma d'o#2 et finalement reduction par plasma de nh#3 afin de realiser un depot a proprietes conductrices avec une composition riche en etain metallique dans une matrice polymere. L'etape cle apparait comme la percolation des atomes d'etain qui, a partir de la matrice organometallique deposee, diffusant pour former des nodules de quelques microns de diametre. Ces nodules confinent a la matrice organometallique ses proprietes optiques et electriques, en particulier des gaps optiques compris entre 3,5 et 2,7 ev