Abstract FR:

Apres une etude bibliographique sur l'hydrogene dans les divers semi-conducteurs 3-5, nous avons etudie qualitativement les proprietes thermodynamiques et electroniques de l'hydrogene dans gaas et algaas de type n a l'aide d'experiences de diffusion de deuterium, a plusieurs temperatures, dans des echantillons de dopage et de composition en aluminium differents. Les profils de diffusion du deuterium ont ete ajustes par des profils calcules a partir d'un modele base sur le fait que l'hydrogene diffuse, dans ces materiaux, sous la forme h#0 et sous la forme h#-. Le modele suppose que l'hydrogene introduit dans la bande interdite du semi-conducteur un niveau accepteur. L'ajustement entre courbes experimentales et calculees permet de determiner les caracteristiques thermodynamiques et electroniques de l'hydrogene. Nous avons aussi etudie et modelise la diffusion de deuterium dans gaas sous pression hydrostatique. Nous avons deduit un effet d'eloignement du niveau hydrogene par rapport a la bande de conduction gamma sous l'effet de la pression. L'utilisation de la neutralisation des dopants silicium par l'hydrogene pour la realisation de transistors a effet de champ en gaas termine ce travail