Abstract FR:

Ce memoire est consacre a l'etude theorique d'une structure originale de transistor a effet de champ, le transistor a rotation de spin ou spin-fet. Il s'agit d'un transistor de type hemt dans lequel les zones fortement dopees de source et drain sont remplacees par des contacts ferromagnetiques. Le contact de source joue le role de polariseur de spin pour les electrons injectes dans le canal de conduction du transistor et le contact de drain celui d'analyseur de spin pour ceux parvenus en fin de canal. Le courant de drain varie ainsi avec les orientations relatives du spin des electrons en fin de canal et de l'aimantation du contact de drain. Or, il est possible de controler, grace a la tension de grille, non seulement la densite de porteurs dans le canal mais aussi la rotation de spin des electrons au cours de leur transport dans le semiconducteur. La commande du courant dans un spin-fet est donc a la fois electrique et magnetique. Dans le premier chapitre, nous rappelons les concepts de base de l'electronique de spin et presentons les structures realisees dans ce domaine. Le deuxieme chapitre est consacre au transport polarise en spin dans les heterostructures semiconductrices iii-v. Apres avoir passe en revue les differents phenomenes agissant sur le spin dans ces structures et en avoir compare les influences respectives, nous presentons le modele que nous avons developpe pour etudier le transport en spin polarise dans le canal d'un hemt. L'etude du spin-fet fait l'objet du troisieme chapitre. Nous exposons d'abord les resultats concernant l'aspect transport polarise en spin, resultats issus du modele presente precedemment. Ces resultats nous permettent d'apprehender l'importance des proprietes des contacts ferromagnetique/semiconducteur pour les performances du spin-fet. Nous terminons ce chapitre par quelques reflexions sur le type de contact envisageable et presentons l'approche que nous developpons actuellement pour les modeliser.