Abstract FR:

Une technique de recuit thermique rapide par lampes halogenes a ete mise au point. Son application pour deux etapes technologiques de la fabrication des composants en arseniure de gallium a ete testee: activation d'ions implantes et guerison de defauts de croissance d'heterostructures. Par cette technique, des couches actives de type a et des transitors ont pu etre realises