Abstract FR:

L'evolution technologique considerable que connaissent les systemes de telecommunications depuis quelques annees, a permis l'emergence de systemes a tres fort degre d'integration fonctionnant a des frequences de plus en plus elevee. La consequence de cette miniaturisation est l'apparition d'effets qui nuisent aux performances des composants. Ces effets sont essentiellement dus a des phenomenes de couplages dus a des radiations electromagnetiques, et des excitations par ondes de surfaces. Dans la plupart des outils de conceptions, les elements de circuits localises sont caracterises par des modeles analytiques ou par un schema equivalent. Cette approche ne peut etre utilisee dans la simulation d'un transistor haute frequence que pour des composants a faibles performances. Pour les transistors de type hemt en materiaux iii-v, le moyen permettant d'obtenir un modele precis est d'utiliser un modele physique base sur la resolution des equations de transport electronique. Il n'existe pas d'outil permettant de concevoir et de modeliser un circuit micro-onde a elements actif integre en representant convenablement le composant physique du composant micro-onde. C'est dans ce cadre que s'inscrit ce travail de these. L'objectif est de demontrer la possibilite de coupler un modele rapide de resolution des equations de transport dans un semi-conducteur en utilisant la methode quasi-bidimensionnelle (q2d) avec un simulateur electromagnetique 3d base sur la methode des differences finies dans le domaine temporel (fdtd).