Abstract FR:

Ce travail s'inscrit dans le cadre du transfert de nouveaux procedes bicmos dans le site de production de philips semiconducteurs a caen. L'objectif etait de comprendre les mecanismes de la photolithographie afin de mettre au point des procedes de production robustes. Le choix optimal des parametres critiques (epaisseur de laque, energie d'insolation, niveau focal) a permis de mettre sous controle la realisation de motifs submicroniques (0. 75m). Par ailleurs, une methode de caracterisation d'une couche anti-reflets a ete developpee afin d'ameliorer la qualite de la photolithographie des niveaux d'interconnexions. La mise en place de cette couche a permis de supprimer les effets des reflexions parasites (induites par la topographie) et de reduire l'amplitude des variations de dimensions en fonction de l'epaisseur de laque. Cependant, a ce stade, un nouveau probleme est apparu : des bandes de laque se sont trouvees decollees et amincies due a un phenomene qualifie de popping. Ce probleme a ete resolu grace a l'introduction d'un delai entre l'etape d'exposition et le recuit, ce qui a permis d'ameliorer les rendements electriques finaux de 5 a 10%.