Abstract FR:

La large bande interdite directe des semiconducteurs iii-v a base de nitrures (gan, aln, inn et leurs alliages) ouvre la voie a la realisation de dispositifs emetteurs de lumiere bleue ou encore de detecteurs uv non sensibles au visible. L'optimisation de la croissance de gan constitue une etape fondamentale en vue de l'amelioration de la performance de composants optoelectroniques. Ainsi, ce memoire presente une etude detaillee de la croissance et la caracterisation de gan et al xga 1 xn (x 15%) elabores par epitaxie en phase vapeur par pyrolyse d'organometalliques (epvom) sur un substrat de saphir (0001). Dans un premier temps, ce memoire decrit en detail la mise en uvre d'un mode de croissance 3d induit par un traitement si/n a haute temperature du saphir nitrure sous atmosphere d'azote et d'hydrogene. Les qualites structurales, electriques et optiques des films de gan epitaxies avec ce mode croissance sont decrites et comparees a celles obtenues sur les couches de nucleation couramment utilisees, a savoir gan et aln. L'effet de la pression totale dans le reacteur sur l'elaboration des alliages al xga 1 xn est egalement etudie. En seconde partie, nous presentons l'etude menee sur le dopage de type n et p dans al xga 1 xn (0x12%) en utilisant le magnesium, le silicium et le carbone. Une etude detaillee sur l'anisotropie de croissance localisee de gan a travers un film dielectrique est egalement presentee. L'effet de l'introduction des dopants (silicium, magnesium) en phase vapeur sur l'anisotropie de croissance est decrit pour la premiere fois. Ayant reussi a optimiser la croissance et le dopage de type n et p de gan et al xga 1 xn, des demonstrateurs a structures simples ont ete realises : diodes electroluminescentes, photoconducteurs et photodiodes.