Abstract FR:

Le travail présenté dans cette thèse concerne la caractérisation des composants microélectroniques de test pour la technologie ULSI sur silicium ainsi que l'étude du comportement du bore en profondeur dans les jonctions p +n de très faible épaisseur. Les caractéristiques particulières des technologies de petites dimensions destinées à l'intégration à très grande échelle ont été soulignées tout au long de ce travail. Nous avons montré le rôle important joue par la fine couche d'oxyde de silicium, présenté aussi bien dans les structures métal/oxyde/semiconducteur que bipolaires. Afin de caractériser électriquement les composants électroniques, les méthodes C(v) et G() basées sur la mesure de l'admittance complexe ont été mises en place. Nous avons également présenté une nouvelle méthode de détermination précise de l'épaisseur de la couche d'oxyde en effectuant des mesures à des fréquences supérieures à 1MHz. Le bore est le dopant le plus utilisé par les industriels pour la réalisation des jonctions p +n de très faible épaisseur. Toutefois, il présente une diffusion anormale sous bilan thermique. Des études de caractérisations de jonctions p +n ultra-minces obtenues sur du silicium de type n préalablement préamorphisé au germanium et implanté au bore ont été réalisées. Nous avons obtenu des profils associes à la diffusion anormale du bore sur une profondeur importante dans le substrat, grâce à la correction que nous avons apportée à la mesure isotherme de la capacité du transitoire C(t, t) associée à la DLTS.