thesis

Conception et caracterisation de structures passives sur gaas realisees en technologie microruban commandees optiquement

Defense date:

Jan. 1, 2000

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Institution:

Paris 6

Disciplines:

Directors:

Abstract EN:

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Abstract FR:

Le couplage optique-microondes est un nouveau champ de recherche en pleine expansion qui associe l'optique et les microondes. Parmi les themes de l'opto-microondes, nous pouvons distinguer principalement le controle optique des composants et circuits microondes, la distribution de signaux microondes et millimetriques par porteuse optique et la modulation de signaux optiques par des signaux microondes. Le travail presente dans ce memoire concerne la conception de fonctions microondes passives et l'etude de leur reponse a une commande optique. Nous presentons l'etude de photocommutateurs microondes a gap large bande et de structures resonantes. Ces structures passives ont ete realisees avec une technologie microruban standard mmic sur un substrat de gaas. L'objectif est d'eclairer ces dispositifs hyperfrequences avec de faibles puissances optiques pour controler directement une fonction electronique et/ou ajuster un element. L'une des applications envisagees est l'introduction d'une modulation numerique rapide par voie optique. En effet, si la lumiere emise par la diode est modulee, on retrouve a la sortie du gap la modulation sur le signal microonde, et ce avec une deterioration minimale du signal modulant. Les parametres s de ces structures ont ete mesures sous pointe en obscurite et sous eclairement assure par une diode laser. Nous avons pu ainsi mettre en evidence experimentalement l'influence de la lumiere sur ces dispositifs et etudier la sensibilite de leur reponse. Des simulations electriques et electromagnetiques ont permis de modeliser les photocommutateurs a gap dans les etats on et off et d'obtenir un schema equivalent utilisable dans les logiciels de cao. Cette modelisation doit permettre egalement de remonter aux valeurs des parametres typiques du semi-conducteur controlant la photoconductance telles que la duree de vie des porteurs, la vitesse de recombinaison en surface et la resistivite du materiau.