Abstract FR:

Ce memoire est consacre a la realisation de contacts co/gaas pour l'etude de la collection d'electrons polarises en spin. L'origine de ce travail est une structure particuliere de transistor, le spin-fet, dans lequel les contacts de source et de drain sont remplaces par des metaux ferromagnetiques assurant les roles de polariseur et d'analyseur de spin. Or on ne connait pas la selectivite en spin de ces contacts. Pour l'etude de ces contacts deux contraintes apparaissent : d'une part la couche de reaction a l'interface co/gaas peut etre nefaste a la collection dependante du spin, d'autre part le co doit etre aimante perpendiculairement a l'heterointerface. Nous faisons croitre une couche d'oxyde entre co et gaas qui sert de barriere de diffusion, et qui modifie les proprietes d'anisotropie du co. Pour aimanter perpendiculairement le co, celui-ci doit etre depose en couches ultra-minces (1 a 2 nm). La structure d'etude est une diode co/gaas eclairee par de la lumiere polarisee circulairement generant des electrons polarises en spin dans gaas. La mesure des variations du courant collecte par le metal en fonction de son aimantation permet de determiner la selectivite en spin. Cependant, a l'interface metal/semiconducteur, la continuite du courant dans le semiconducteur est telle qu'aucune selectivite en spin n'est possible. Nos calculs montrent que la presence d'oxyde a cette interface permet de moduler la selectivite en spin du contact. Le chapitre i est consacre a la presentation du spin-fet et des premieres experiences de selectivite en spin. Le chapitre ii traite du dimensionnement de la structure d'etude. Dans le chapitre iii, nous presentons la mise au point des differentes etapes technologiques necessaires a la mise en uvre de l'echantillon. Le chapitre iv est consacre a la caracterisation physique des differentes couches. Le chapitre v traite de la realisation et de la caracterisation electrique de nos structures.