Abstract FR:

On propose dans cette these une analyse mathematique et numerique de modeles avec effet de temperature pour des dispositifs a semiconducteurs. Nous introduisons deux modeles : le modele gaur-navon avec une variable temperature de reseau et un modele hydrodynamique simplifie avec une variable de temperature electronique. Pour le modele de gaur-navon, on donne des resultats d'existence autant pour une diode que pour le transistor mesfet, l'unicite de la solution faible n'est valable que dans le cas de la diode. Pour le modele hydrodynamique simplifie, on etudie l'existence de solution faible pour une diode. Enfin nous donnons la discretisation du modele gaur-navon a l'aide de la methode des elements finis. Nous completons ce travail en donnant des resultats de simulations numeriques.