Abstract FR:

Les procedes plasma occupent une place preponderante dans les enchainements technologiques de fabrication des circuits integres. Les degradations des dispositifs au cours des etapes plasma, et plus particulierement les degradations des oxydes de grille des dispositifs mos sont depuis plusieurs annees un probleme majeur qui affecte les rendements, les performances et la fiabilite des circuits. Des avancees significatives ont ete realisees au cours de ces dernieres annees dans la comprehension des mecanismes de degradation et dans la mise au point de methodologies de caracterisation. Apres une synthese detaillee des reacteurs et des procedes plasma, nous proposons une etude approfondie des mecanismes de degradations, des moyens mis en uvre pour les caracteriser et les minimiser. Au cours d'etudes menees a plusieurs niveaux, nous montrons comment interviennent les aspects lies au plasma, au design et a l'integration technologique sur les degradations induites dans les oxydes de grille. Nous effectuons enfin sur la base de nos travaux une analyse detaillee des degradations induites dans les technologies qui emergent actuellement. Nous montrons en particulier qu'une reduction sensible des degradations induites est obtenue par l'utilisation de procedes d'assemblage de type damascene ou double damascene, ainsi que dans les technologies silicium sur isolant (soi). Dans tous les cas, les etapes plasma et les configurations de design qui nous semblent les plus critiques sont degagees.