Abstract FR:

Nous avons, dans le cadre de cette these, concu et realise des photodiodes pin a1gainas multimodes a eclairage lateral optimisees a la fois en rapidite et en sensibilite. Les modelisations electriques de la reponse en frequence en fonction de l'epaisseur de la zone absorbante ainsi qu'une etude detaillee des modes guides de la photodiode nous ont permis de determiner une structure pin multimode a base de compose aluminium presentant une sensibilite elevee de 1 a/w pour une frequence de coupure superieure a 40 ghz. Nous avons concu et dessine un jeu de masques a 9 niveaux pour developper une technologie originale ou la face d'entree d'eclairement de la photodiode est realisee par gravure seche. Cette approche permet de diminuer et de controler la capacite, de realiser a la fois la passivation de la diode et le depot de la couche anti-reflet et enfin de tester sur tranche la photodiode completement realisee. Les caracteristiques electriques statiques et dynamiques des photodiodes realisees (courant d'obscurite < na, frequence de coupure > 40 ghz) attestent de la qualite de technologie elaboree. Les sensibilites mesurees (0. 8 a/w) et les tolerances de positionnement +/- 0. 6 m a 1 db) sont en bon accord avec la theorie. Ces valeurs se situent au niveau des meilleurs resultats publies et au meilleur niveau dans le systeme a1inas. Enfin ces photodiodes performantes permettent la realisation de modules fibres de diode unitaire et de photorecepteurs sensibles large bande (40 gbit/s) ou accordes (40 ghz) pour de multiples applications (reseau optique, instrumentation)