Abstract FR:

Le récent développement des systèmes de communications pour des applications grand public, associe aux progrès accomplis dans la technologie silicium, a contraint les industriels des semi-conducteurs à intégrer et optimiser les performances des systèmes tout en maintenant des couts relativement faibles. Dans le domaine des microondes, les performances d'un circuit sont généralement évaluées par la mesure des paramètres de dispersion. La mesure de ces derniers s'effectue généralement par des analyseurs de réseaux vectoriels. Cependant, du à leur complexité d'automatisation, leur encombrement et à leur ergonomie, leur cout peut être très élevé. Contrairement à ces appareils, il existe des systèmes moins complexes qui peuvent réaliser les mêmes fonctions. Il s'agit des réflectomètres six-portes. Le sujet de cette thèse est le développement d'un capteur de mesure qui effectue des mesures de paramètres de dispersion d'un dispositif sous test dans la bande de fréquence 0. 9 - 3 ghz. Le capteur peut être utilise comme appareil de caractérisation et de contrôle de circuit intègre in situ par implantation du capteur au niveau du composant à tester. Dans le cadre de notre travail, ce dernier est utilisé dans les sondes de mesure sous pointes en tant que réflectomètre. L'intérêt d'intégrer ce capteur est encore plus intéressant puisque l'on supprime entre autre les connections, donc les pertes et les réflexions multiples associées. Le capteur d'une surface de 3 mm 2 est constitué d'un réflectomètre six-portes et de quatre détecteurs de puissance a transistors mosfet, d'interrupteurs, d'un amplificateur opérationnel a commandé de gain automatique et d'un convertisseur analogique-numérique. Une modélisation linéaire et non linéaire des transistors mosfet a été développe ainsi, pour des applications de détection de puissance rf. Le circuit se distingue par sa topologie originale qui substitue aux détecteurs de puissance à diodes, schottky des détecteurs à transistors mosfet. Ces derniers ont montré une sensibilité supérieur, de plus l'utilisation de la technologie cmos silicium, nous a permis d'intégrer toute la chaine de mesure sur le même circuit.