Abstract FR:

Le domaine automobile est un des marches porteurs des circuits integres de puissance intelligente, appeles aussi smart power. Ces circuits de moyenne puissance combinent sur une meme puce des composants analogiques bipolaires, des composants logiques cmos et un ou plusieurs interrupteurs mos de puissance lateraux ou verticaux. En basse tension (<100 v), le composant ldmos est largement utilise dans ces circuits en raison de sa faible resistance passante specifique (de l'ordre du m. Cm 2), obtenu grace aux progres des lithographies avancees. Toutefois, il semble qu'une limite soit atteinte a ce jour sur ce facteur : en effet, l'utilisation de lithographies plus fines ne permet guere d'ameliorer les performances de ces composants. C'est donc vers d'autres aspects que l'on doit s'orienter pour reduire la surface de ces composants lateraux. Une solution prometteuse pour la realisation de composants lateraux est proposee dans ce memoire. Il s'agit du transistor ludmos qui est un transistor ldmos dans lequel on incorpore, dans la zone faiblement dopee, une tranchee. A l'aide de simulations bidimensionnelles, il est montre, dans un premier temps, que ce nouveau concept permet d'ameliorer fortement la tenue en tension tout en reduisant la taille des composants. Ensuite on montre que, pour une tenue en tension donnee, la resistance passante specifique est sensiblement reduite, permettant ainsi de s'approcher de la limite du silicium en terme de compromis tenue en tension / resistance passante specifique.