Abstract FR:

La proliferation actuelle des services de communication mene a developper de maniere intensive et acceleree des systemes de transmission numeriques sur fibre optique ayant des debits de plus en plus eleves. L'accent est particulierement mis sur le developpement de modules microelectroniques et optoelectroniques ayant une capacite de plusieurs dizaines de gbit/s. Notre etude concerne la realisation de modules de commande de modulateurs externes a electroabsorption, a 40 gbit/s en codage nrz, a base de transistors phemt gaas 0. 15 m. Ils sont determinants pour la qualite du signal optique binaire transmis. Aussi, nous avons defini une methodologie de conception, concernant l'aspect amplification pour une commande suffisante en tension des modulateurs, et l'aspect adaptation du modulateur qui realise la conversion electro-optique du signal. Pour disposer d'un produit gain-bande passante eleve, nous avons privilegie l'architecture distribuee. Pour cela, nous avons developpe une nouvelle architecture : le double amplificateur distribue. Il est constitue d'une premiere partie ayant fonction de diviseur de puissance, et une seconde partie constituant le cur de l'amplificateur. L'ensemble est monte dans un module specifique en tenant compte de differentes contraintes, notamment thermiques et electromagnetiques. Il fournit jusqu'a 5. 7 v de tension crete-crete a 40 gbit/s sur 50. Pour beneficier au maximum des performances du module de commande, nous avons optimise l'adaptation d'impedance du module optoelectronique. Le modulateur externe est adapte sur 50 par l'intermediaire d'un circuit d'adaptation large bande pour assurer une bonne transmission a 40 gbit/s.