Abstract FR:

La these porte sur la caracterisation sous irradiation de la couche d'oxyde enterre dans des substrats s. O. I. (silicon on insulator : silicium sur isolant). Ce type de materiau est utilise notamment pour la realisation de composants electroniques durcis, c'est a dire capable de fonctionner dans un environnement radiatif. L'irradiation genere des charges (electrons et trous) dans l'oxyde enterre. Une partie de ces charges et piegee, ce qui entraine une modification des caracteristiques des composants electroniques realises sur ces substrats. Cette etude porte sur la caracterisation des proprietes de piegeage des oxydes enterres et plus particulierement du materiau unibond, realise selon un nouveau procede de fabrication, le procede smart-cut. L'etude se divise en trois parties : - etude a un porteur : ce cas se limite aux faibles doses d'irradiation ou l'on observe uniquement un piegeage de trous. On a pu mettre en evidence l'evolution des proprietes physico-chimiques de l'oxyde enterre du materiau unibond, cette evolution etant lie au procede de fabrication. - etude a deux porteurs : dans ce cas il y a un piegeage de trous et d'electrons. Ce type de piegeage est observe dans le cas de fortes doses d'irradiation. On a pu mettre en evidence un nouveau type de pieges a electrons dans l'oxyde du materiau unibond. Le transport et le piegeage de trous et d'electrons ont egalement ete etudies dans le cas de phenomenes transitoires crees par de breves impulsions radiatives. Cette etude a ete menee en utilisant une nouvelle methode de mesure. - etude a trois porteurs : aux trous et aux electrons se rajoutent les protons introduits dans l'oxyde enterre par recuit sous hydrogene. Ces protons sont mobiles sous l'effet d'un champ electrique et sont a l'origine d'un effet memoire suivant leur position dans l'oxyde. Ces differents travaux montrent que le materiau unibond constitue une tres bonne solution pour le developpement futur des technologies s. O. I.