Abstract FR:

Les memoires non volatiles a semi-conducteurs sont de plus en plus confrontees a des problemes de fiabilite dus essentiellement a la reduction des dimensions internes de la cellule imposee par la miniaturisation. Dans ce contexte, le bon fonctionnement du dispositif est strictement lie a une meilleure comprehension physique des mecanismes de defaillance. Dans ce memoire, une etude approfondie des phenomenes de transport dans les principaux dielectriques de la cellule memoire (oxyde de grille, dielectriques interpoly ono, et aussi no, on et si 3n 4) est presentee. Des mesures electriques effectuees sur des dispositifs du type capacite, transistor mos et structure a grille flottante, afin de cerner les phenomenes de transport et de piegeage dans ces dielectriques, sous contraintes electriques et pour des temperatures allant jusqu'a 400\c, sont analysees. Une modelisation physique expliquant les resultats obtenus est proposee. Nous avons ensuite montre comment les proprietes intrinseques de ces dielectriques sont etroitement liees aux problemes de fiabilite de la cellule memoire. En particulier, dans l'etude de la retention des charges, nous avons developpe une nouvelle loi pour l'extrapolation de la duree de vie de la memoire.