Abstract FR:

Le contenu de ce memoire porte sur la mise en uvre, au moyen de recuits thermiques rapides infrarouges, de deux procedes technologiques dedies a l'isolation electrique dans les circuits integres de puissance: la thermomigration d'aluminium en phase liquide et le procede lego (epitaxie laterale sur oxyde). Les procedes d'isolation les plus repandus sont tout d'abord presentes et les limites en sont definies : difficultes de realisation de couches d'oxyde enterrees localisees dans le cas de l'isolation par oxyde ou de l'isolation mixte (oxyde et jonction) et budgets thermiques importants dans le cas de l'isolation par jonction de composants verticaux. Un procede de realisation de couche soi localisees, base sur la recristallisation du polysilicium en phase liquide a partir d'un germe monocristallin (lego) est ensuite presente. Un modele mathematique permettant d'evaluer l'influence des parametres de la structure soi est propose, puis etaye par des donnees experimentales. Enfin, un procede de realisation rapide de caissons d'isolation par jonction est etudie. Dans cette methode, le deplacement d'un alliage al-si liquide, sous l'effet d'un gradient thermique (thermomigration d'aluminium), permet de doper localement le silicium. Les principaux mecanismes physiques de la thermomigration d'aluminium sont decrits, et les parametres influencant la stabilite du phenomene sont identifies. Les performances, en termes d'isolation electrique, des structures ainsi realisees sont en particulier examinees.