Abstract FR:

L'elaboration de certains composants microelectroniques necessite notamment une etape de remplissage par depots lpcvd (pour low pressure chemical vapor deposition) de tranchees submicroniques. Les progres spectaculaires enregistres depuis quelques annees dans ce secteur d'activite font que ces gravures sont de plus en plus fines et profondes. Dans ce contexte, l'etude du recouvrement de marche par les depots lpcvd d'usage industriel est aujourd'hui de premiere importance. La premiere partie de ce travail, porte sur la presentation d'experiences de depots lpcvd dans des tranchees submicroniques de differents rapports geometriques. Il s'agit de depots de silicium pur, a partir de silane ou de disilane, de silicium dope in situ, soit au bore soit au phosphore, et de silicium partiellement oxyde (sipos). Les resultats obtenus permettent de correler la qualite du recouvrement de marche en fonction du depot employe. Dans une deuxieme partie, nous decrivons les modeles numeriques et analytiques que nous avons concus et pour lesquels nous precisons les hypotheses, les equations de base et les methodes de resolution. Puis, nous proposons une etude theorique portant sur deux cas simples de depot, l'un du a une espece chimique peu reactive en surface et l'autre du a une espece extremement reactive. Pour terminer, nous comparons quelques simulations, realisees dans des tranchees rectangulaires, a des resultats experimentaux. Enfin, dans le proche futur, les procedes de depots cvd, semblent s'orienter vers des pressions operatoires plus elevees qu'actuellement, ce qui pourrait engendrer l'apparition de poudres, generees in situ par le depot. Une etude experimentale et theorique a ete menee dans ce domaine, qui s'est concretisee par la mise au point de reducteurs de volume, a l'interieur du reacteur tubulaire horizontal, permettant de repousser la pression dite de poudrage.