Abstract FR:

Actuellement, le marché des mémoires atteint la quasi moitié de la production des circuits intègres. Cette évolution est principalement due à l'amélioration de la technologie de fabrication des mémoires. Dans ce sens, l'essor important que connaissent les applications RFID (radio frequency identification), nécessitant une sauvegarde permanente de l'information, a permis de focaliser une attention particulière dans l'étude et l'amélioration des performances des mémoires non volatiles. La sélectivité du bit programme permise par la cellule eeprom (electrically erasable programmable read only memory) ainsi qu'une dégradation moindre par rapport à d'autres types de cellules mémoires donne une importance particulière a l'emploi des eeprom's dans la conception de circuits intègres analogiques et mixtes. Afin d'améliorer les performances de ces circuits et d'explorer de nouvelles applications, nous nous sommes proposés de modéliser et de caractériser la cellule eeprom. Pour la simulation et la conception de circuits intègres, ce modèle doit allier simplicité et précision. Un contrat liant la société st-microelectronics et l'école nationale supérieure des telecommunications a autorisé la validation du modèle développe sur la cellule eeprom 0. 8m en technologie simple polysilicium. Une étude statistique a permis d'évaluer la sensibilité des caractéristiques de la cellule eeprom face à la variation de ses principaux paramètres technologiques. Une deuxième collaboration avec la société Inside technologies était à l’ origine d'une étude similaire sur la cellule eeprom 0. 8m en technologie double polysilicium. Le modèle développe récurrent a été utilise pour simuler le bloc analogique de la carte à puce. Les résultats obtenus ont montré une bonne concordance entre mesures et simulations. Plus encore, ce modèle a permis d'évaluer l'évolution de certaines variables importantes inexplorables par l'utilisation d'un modèle générique de la cellule eeprom. Enfin, la possibilité de programmation de la tension de seuil de ce type de cellules mémoire était à l’ origine de la conception d'un circuit de calibrage pour améliorer l'appariement des amplificateurs opérationnels. Les résultats de simulation ont montré une réduction de l'offset de l'aop de 10mv à une valeur de 280v.