Abstract FR:

La fiabilite des oxydes minces est devenue une des preoccupations principales des fabricants de circuits integres. Les proprietes de retention de charges des memoires non volatiles ainsi que la duree de vie des oxydes sont devenues des problemes critiques. Dans ce contexte une meilleure connaissance des defauts dans l'oxyde et de leurs mecanismes de creation est necessaire. Dans ce travail de these une etude experimentale du silc (stress induced leakage current) est proposee (etude en temperature, par le courant de substrat, mesures de relaxation de recuit et experiences d'irradiation). Nous avons montre que le silc pouvait etre modelise par un mecanisme tunnel assiste par pieges ayant un profil specifique. Les mesures du silc sont ensuite utilisees pour etudier les proprietes des defauts dans l'oxyde. L'etude de la relaxation, des phenomenes de recuit et d'irradiation montrent que les defauts a l'origine du silc sont des trous pieges dans l'oxyde. Finalement nous avons propose un modele pour decrire la generation du silc par injection fowler-nordheim. Celui-ci est base sur l'injection de trous par l'anode et leur transport dispersif dans l'oxyde. Les consequences de cette nouvelle approche sur la comprehension de la degradation et des predictions de duree de vie des oxydes sont discutees.